图4(a)展示了微米超细晶SiCp/2024Al的明场扫描透射电子显微镜(Bright Field Scanning Transmission Electron Microscopy,BF-STEM)显微组织,其均匀的超细晶结构清晰可见;
图4(b)展示了相应的选区电子衍射多晶环衍射花样,较为完整的同心圆环证实了EBSD分析中揭示的弱织构组织;
图4(c)为一个具有代表性的超细晶粒的BF-STEM形貌,未观察到晶粒中存在明显位错活动。
图5(a)展示了微纳混晶SiCp/2024Al的典型BF-STEM显微组织,验证了其由交替排列的细晶和超细晶区域组成的异质层状构型;与微米超细晶SiCp/2024Al显微组织截然不同,这些细晶内部存在高密度位错及其亚结构,且由于变形导致的择优取向和较低程度的再结晶行为,细晶之间主要采取小角度晶界相连。如
图5(b)~
图5(d)所示,相应的Si、Cu、Mg元素面扫描分布图显示,大部分的纳米SiCp和粗大的
θ-Al
2Cu沉淀相优先在超细晶区而不是细晶区的选择性空间分布。纳米SiCp在空间上的非均匀分布,源于其在经历行星球磨处理的纳米SiCp/2024Al复合粉末基元中Al片层间界面的富集
[13]。这种纳米SiCp限域分布,经过后续热固结和热挤压,在局部的齐那(Zener)钉扎效应
[17]和异质形核诱导效应的影响下,最终导致了交替的超细晶和细晶区域的形成。值得注意的是,超细晶结构同样对Al-Cu沉淀相产生了显著影响,正如观察到的那样,在超细晶区域内检测到大尺寸的富Cu相。根据文献[
18]的研究,它们是沿晶界析出的平衡态
θ-Al
2Cu沉淀相。由于超细晶区域高密度晶界为溶质原子扩散提供了高效的短路扩散通道,且较小的晶粒尺寸严重削减了晶内析出位点,晶内
θ'-Al
2Cu纳米沉淀的形成受到抑制,从而被更为粗大的
θ-Al
2Cu相取代。如
图5(e)所示,通过倾转晶带轴,将
图5(a)中的细晶区域内若干晶粒转正至Al的晶带轴(如
图5(f)中选区电子衍射图谱所验证),结果表明细晶区域内大量晶粒被小角晶界分隔。由于未经行星球磨,细晶区域组织的再结晶驱动力不足以促使它们在热机械加工过程中发生完全再结晶,而是为了协调变形而采取相同取向,这与EBSD分析结果相符。
图5(g)为细晶区域晶粒内部的高角环形暗场扫描透射电子显微镜(High Angle Annular Dark Field Scanning Transmission Electron Microscopy,HAADF-STEM)形貌,除观察到致密位错线外,还检测到高密度纳米盘状
θ'-Al
2Cu沉淀(
图5(g)中白亮针状物),这与超细晶区域内的沉淀行为截然不同。
图5(h)为
θ'-Al
2Cu沉淀的高分辨率透射电子显微镜(High Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)显微结构表征,展示了其与
α-Al高度共格的界面(
$ {(020)}_{{{\theta }^{'}}{\text{-}}{{{\mathrm{Al}}}_{2}}{\mathrm{Cu}}}//{(020)}_{{\mathrm{Al}}} $)。此外,
θ'-Al
2Cu沉淀平均直径约为45 nm,平均厚度约为3 nm,较大的径厚比有助于界面诱导的几何必要位错发射和对位错滑移的阻碍。